Imprimare pagină
IXFN24N100
MOSFET Transistor, N Channel, 24 A, 1 kV, 0.39 ohm, 10 V, 5.5 V
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
213 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 241,760 lei |
| 5+ | 213,000 lei |
| 10+ | 184,000 lei |
| 50+ | 176,830 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
241,76 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorIXYS SEMICONDUCTOR
Nr. de reper producătorIXFN24N100
Cod de comandă4905568
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id24A
Drain Source Voltage Vds1kV
Drain Source On State Resistance0.39ohm
Transistor Case StyleISOTOP
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor MountingModule
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation600W
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins3Pins
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Prezentare generală a produsului
The IXFN24N100 is a HiPerFET™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic diode.
- International standard package
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- UL94V-0 Flammability rating
- Low RDS (ON) HDMOS™ process
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Aplicaţii
Power Management, Industrial, Motor Drive & Control
Avertismente
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
Transistor Case Style
ISOTOP
Transistor Mounting
Module
Power Dissipation
600W
No. of Pins
3Pins
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Continuous Drain Current Id
24A
Drain Source On State Resistance
0.39ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:United States
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:United States
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.04
Trasabilitatea produsului