Imprimare pagină
IXFN26N90
MOSFET Transistor, N Channel, 26 A, 900 V, 0.3 ohm, 10 V, 5 V
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Nu se mai produce
Detalii tehnice
ProducătorIXYS SEMICONDUCTOR
Nr. de reper producătorIXFN26N90
Cod de comandă4905570
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id26A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.3ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation600W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
600W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
26A
Drain Source On State Resistance
0.3ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
150°C
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:United States
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:United States
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:În aşteptare
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.044