Imprimare pagină
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Nu se mai produce
Detalii tehnice
ProducătorIXYS SEMICONDUCTOR
Nr. de reper producătorIXFN27N80Q
Cod de comandă4905593
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id27A
Drain Source Voltage Vds800V
Drain Source On State Resistance0.32ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation520W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Prezentare generală a produsului
The IXFN27N80Q is a Q-class HiPerFET™ N-channel enhancement-mode Single Die Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic rectifier.
- International standard package
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- UL94V-0 Flammability rating
- Unclamped inductive switching (UIS) rated
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
- High dV/dt and low trr
Aplicaţii
Power Management, Industrial, Motor Drive & Control
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
520W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
27A
Drain Source On State Resistance
0.32ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
150°C
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:United States
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:United States
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.04
Trasabilitatea produsului