Imprimare pagină
IXFN39N90
MOSFET Transistor, N Channel, 39 A, 900 V, 0.22 ohm
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Nu mai este în stoc
Detalii tehnice
ProducătorIXYS SEMICONDUCTOR
Nr. de reper producătorIXFN39N90
Cod de comandă4905581
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id39A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.22ohm
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation700W
Operating Temperature Max-
Product Range-
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
700W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
39A
Drain Source On State Resistance
0.22ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
-
Operating Temperature Max
-
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:United States
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:United States
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:În aşteptare
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.000036