Imprimare pagină
IXFN55N50
MOSFET Transistor, HiPerFET, N Channel, 55 A, 500 V, 0.08 ohm, 10 V, 4.5 V
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Disponibile pentru comandă
Timp standard de executare a comenzii de către producător: 44 săptămână (săptămâni)
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 300+ | 159,870 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 300
Mai multe: 300
47.961,00 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorIXYS SEMICONDUCTOR
Nr. de reper producătorIXFN55N50
Cod de comandă4905647
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source Voltage Vds500V
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleISOTOP
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Transistor MountingModule
Power Dissipation600W
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins3Pins
Product Range-
Prezentare generală a produsului
The IXFN55N50 is a single N-channel Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static ON-resistance HDMOS™ process and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, battery chargers, DC choppers, switch-mode and resonant-mode power supplies.
- International standard packages
- MiniBLOC with aluminium nitride isolation
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Unclamped inductive switching (UIS) rating
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space saving
- UL94V-0 Flammability rating
Aplicaţii
Power Management, Lighting
Avertismente
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Transistor Case Style
ISOTOP
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
600W
No. of Pins
3Pins
Continuous Drain Current Id
55A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Mounting
Module
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:United States
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:United States
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.046
Trasabilitatea produsului