Imprimare pagină
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Nu se mai produce
Detalii tehnice
ProducătorIXYS SEMICONDUCTOR
Nr. de reper producătorIXFN60N60
Cod de comandă4905623
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds600V
Drain Source On State Resistance0.075ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation600W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Prezentare generală a produsului
The IXFN60N60 is a HiPerFET™ N-channel enhancement-mode Single Die MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic rectifier.
- International standard package
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Low RDS (ON) HDMOS™ process
- Unclamped inductive switching (UIS) rated
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
- High dV/dt and low trr
Aplicaţii
Power Management, Industrial, Motor Drive & Control, Lighting, Thermal Management
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
600W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.075ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
150°C
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:United States
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:United States
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.04