Imprimare pagină
IXFN80N60P3
MOSFET Transistor, N Channel, 66 A, 600 V, 0.077 ohm, 10 V, 5 V
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorIXYS SEMICONDUCTOR
Nr. de reper producătorIXFN80N60P3
Cod de comandă2782974
Gamă de produsePolar3 HiperFET
Fişă tehnică
Nu mai este în stoc
Detalii tehnice
ProducătorIXYS SEMICONDUCTOR
Nr. de reper producătorIXFN80N60P3
Cod de comandă2782974
Gamă de produsePolar3 HiperFET
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id66A
Drain Source Voltage Vds600V
Drain Source On State Resistance0.077ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation960W
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar3 HiperFET
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
960W
Product Range
Polar3 HiperFET
Continuous Drain Current Id
66A
Drain Source On State Resistance
0.077ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:United States
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:United States
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Y-Ex
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.03