Imprimare pagină
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Nu mai este în stoc
Detalii tehnice
ProducătorIXYS SEMICONDUCTOR
Nr. de reper producătorIXFX20N120P
Cod de comandă2476009
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.57ohm
Transistor Case StylePLUS247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6.5V
Power Dissipation780W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Alternative pentru IXFX20N120P
1 produs găsit
Prezentare generală a produsului
The IXFX20N120P is a HiPerFET™ N-channel enhancement-mode Polar™ Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic diode.
- International standard package
- Unclamped inductive switching (UIS) rated
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Aplicaţii
Power Management, Industrial
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Transistor Case Style
PLUS247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
780W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.57ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
6.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Germany
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Germany
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.006