Imprimare pagină
IXTN21N100
MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 1 kV, 0.55 ohm, 10 V, 4.5 V
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Nu se mai produce
Detalii tehnice
ProducătorIXYS SEMICONDUCTOR
Nr. de reper producătorIXTN21N100
Cod de comandă9359311
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source Voltage Vds1kV
Drain Source On State Resistance0.55ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation520W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
520W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
21A
Drain Source On State Resistance
0.55ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
150°C
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Germany
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Germany
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:În aşteptare
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.000036