Imprimare pagină
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Nu se mai produce
Detalii tehnice
ProducătorIXYS SEMICONDUCTOR
Nr. de reper producătorIXTN36N50
Cod de comandă9359214
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source Voltage Vds500V
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation400W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Prezentare generală a produsului
The IXTN36N50 is a MegaMOS™FRED N-channel enhancement-mode Power MOSFET offers rugged polysilicon gate cell structure and low RDS (ON) HDMOS™ process. It is uninterruptible power systems (UPS), DC choppers, switch-mode and resonant-mode power supplies.
- International standard package miniBLOC (ISOTOP compatible)
- Low drain-to-case capacitance (<lt/>50pF)
- Low package inductance (<lt/>10nH) - Easy to drive and to protect
- Easy to mount with 2 screws
- Space saving
- High power density
Aplicaţii
Motor Drive & Control, Robotics, Power Management
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
400W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
36A
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
150°C
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Germany
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Germany
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.03984