Imprimare pagină
IXTP3N120
Power MOSFET, N Channel, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, Through Hole
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
449 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 34,900 lei |
| 5+ | 32,000 lei |
| 10+ | 29,160 lei |
| 50+ | 26,260 lei |
| 100+ | 23,880 lei |
| 250+ | 23,420 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
34,90 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorIXYS SEMICONDUCTOR
Nr. de reper producătorIXTP3N120
Cod de comandă1427369
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance4.5ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Prezentare generală a produsului
The IXTP3N120 is a high voltage N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and rated for unclamped inductive load switching (UIS).
- High dV/dt
- International standard package
- Low RDS (ON)
- UL94V-0 Flammability rating
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Aplicaţii
Industrial, Power Management
Avertismente
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
4.5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Germany
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Germany
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.004
Trasabilitatea produsului