Imprimare pagină
IXTN90N25L2
MOSFET Transistor, N Channel, 90 A, 250 V, 0.036 ohm, 10 V, 4.5 V
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Disponibile pentru comandă
Timp standard de executare a comenzii de către producător: 40 săptămână (săptămâni)
Anunțați-mă când există în stoc
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 233,380 lei |
| 5+ | 204,830 lei |
| 10+ | 176,280 lei |
| 50+ | 165,710 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
233,38 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorLITTELFUSE
Nr. de reper producătorIXTN90N25L2
Cod de comandă3930420
Fişă tehnică
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source Voltage Vds250V
Drain Source On State Resistance0.036ohm
On Resistance Rds(on)0.036ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation735W
Power Dissipation Pd735W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Prezentare generală a produsului
N-channel enhancement mode guaranteed FBSOA avalanche rated suitable for use in programmable loads, current regulators, DC-DC converters, battery chargers, DC choppers, temperature and lighting controls applications.
- Linear L2™ power MOSFET w/extended FBSOA
- Designed for linear operation
- Guaranteed FBSOA at 75°C
- Moulding epoxy meets UL94 V-0 flammability classification
- MiniBLOC with aluminium nitride isolation
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Specificaţii tehnice
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Drain Source On State Resistance
0.036ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
735W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
250V
On Resistance Rds(on)
0.036ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
735W
Product Range
-
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:South Korea
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:South Korea
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:To Be Advised
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.000001
Trasabilitatea produsului