Imprimare pagină
MSC045SMB120B4N
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 49 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorMICROCHIP
Nr. de reper producătorMSC045SMB120B4N
Cod de comandă4751107
Gamă de produsemSiC Series
Fişă tehnică
120 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare EXPRESS în 1-2 zile lucrătoare
Comandați înainte de ora 17:00
Livrarea Standard GRATUITĂ
la comenzi în valoare de 0,00 lei și peste
Timpul exact de livrare va fi calculat la checkout
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 42,010 lei |
| 25+ | 40,390 lei |
| 100+ | 38,760 lei |
| 250+ | 33,730 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
42,01 lei (fără TVA)
notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorMICROCHIP
Nr. de reper producătorMSC045SMB120B4N
Cod de comandă4751107
Gamă de produsemSiC Series
Fişă tehnică
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id49A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation237W
Operating Temperature Max175°C
Product RangemSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Prezentare generală a produsului
MSC045SMB120B4N is a 1200V, 45mohm silicon carbide (SiC) power MOSFET in a 4-lead TO-247 package. It delivers high efficiency with low switching and conduction losses, fast switching speed, and robust avalanche performance. Designed for high-power and high-temperature applications, it is ideal for use in EV chargers, solar inverters, motor drives, and industrial power supplies.
- Low on-resistance RDS(on) reduces conduction losses, improving efficiency and thermal performance
- Supports high-frequency operation for smaller magnetics, higher power density, and lower cost
- Superior avalanche ruggedness and short-circuit withstand time
- HV-H3TRB proven capability ensures long-term reliability in high humidity environments
- Lower VGS and standard package enables improved compatibility with standard gate drivers
- Increased creepage distance (notch) improves safety and reliability in high-voltage designs
Specificaţii tehnice
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
49A
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
237W
Product Range
mSiC Series
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:În aşteptare
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.000001