Imprimare pagină
MT53E1G32D2FW-046 AAT:B
DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pins
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
958 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 345,590 lei |
| 5+ | 302,410 lei |
| 10+ | 250,550 lei |
| 25+ | 224,640 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
345,59 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorMICRON
Nr. de reper producătorMT53E1G32D2FW-046 AAT:B
Cod de comandă3880972
Fişă tehnică
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density32Gbit
Memory Configuration1G x 32bit
Clock Frequency Max2.133GHz
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max105°C
Product Range-
Prezentare generală a produsului
MT53E1G32D2FW-046 AAT:B is a x32 automotive mobile LPDDR4 SDRAM high-speed, CMOS dynamic random-access memory device.
- 1G x 32bit memory configuration, 4266Mb/s data rate/pin, 468ps tCK RL= 36/40 cycle time
- 1.10V VDD2 / 0.60V VDDQ or 1.10V VDDQ/1.80V VDD1 operating voltage
- AEC-Q100 automotive grade
- Frequency range from 2133 to 10MHz, 2133MHz clock rate, 16n prefetch DDR architecture
- 8 internal banks per channel for concurrent operation, single-data-rate CMD/ADR entry
- Bidirectional/differential data strobe per byte lane, programmable READ and WRITE latencies (RL/WL)
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate, Selectable output drive strength (DS)
- Partial-array self refresh (PASR), programmable VSS (ODT) termination, single-ended CK, DQS support
- Operating temperature range from -40 to +105°C, 200-ball TFBGA 10 x 14.5 x 1.1mm (Ø0.40 SMD) package
Specificaţii tehnice
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Configuration
1G x 32bit
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Memory Density
32Gbit
Clock Frequency Max
2.133GHz
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
105°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Taiwan
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Taiwan
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.000001