Imprimare pagină
MT53E2G32D4DE-046 WT:C
DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pins
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
948 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 282,140 lei |
| 5+ | 268,020 lei |
| 10+ | 247,450 lei |
| 25+ | 227,380 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
282,14 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorMICRON
Nr. de reper producătorMT53E2G32D4DE-046 WT:C
Cod de comandă3935602
Fişă tehnică
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density64Gbit
Memory Configuration2G x 32bit
Clock Frequency Max2.133GHz
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-25°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Prezentare generală a produsului
MT53E2G32D4DE-046 WT:C is a LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM. The 16Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 2 channels or 1 channel ×16 I/O, each channel having 8-banks.
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable and on-the-fly burst lengths (BL=16,32)
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- Up to 8.5GB/s per die x16 channel, on-chip temperature sensor to control self refresh rate
- Partial-array self refresh (PASR), selectable output drive strength (DS), clock-stop capability
- 8GB (64Gb) total density, 4266Mb/s data rate per pin
- 200-ball TFBGA package
- Operating temperature rating range from -25°C to +85°C
Specificaţii tehnice
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Configuration
2G x 32bit
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-25°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Memory Density
64Gbit
Clock Frequency Max
2.133GHz
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Taiwan
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Taiwan
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.002049