Imprimare pagină
PMBT3906M
Bipolar Transistor Array, PNP, 40 V, 200 mA
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Nu mai este în stoc
Detalii tehnice
ProducătorNEXPERIA
Nr. de reper producătorPMBT3906M
Cod de comandă2069535
Fişă tehnică
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Collector Emitter Voltage Max PNP40V
Continuous Collector Current NPN-
Continuous Collector Current PNP200mA
Power Dissipation NPN-
Power Dissipation PNP260mW
DC Current Gain hFE Min NPN-
DC Current Gain hFE Min PNP100hFE
Transistor Case StyleSOT-883
No. of Pins3Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP250MHz
Product Range-
Qualification-
Specificaţii tehnice
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
40V
Continuous Collector Current PNP
200mA
Power Dissipation PNP
260mW
DC Current Gain hFE Min PNP
100hFE
No. of Pins
3Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
250MHz
Qualification
-
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
Continuous Collector Current NPN
-
Power Dissipation NPN
-
DC Current Gain hFE Min NPN
-
Transistor Case Style
SOT-883
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Product Range
-
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.000008