Imprimare pagină
PSMN4R8-100BSEJ
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 120 A, 0.0041 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
20.099 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 17,630 lei |
| 10+ | 12,600 lei |
| 100+ | 10,460 lei |
| 500+ | 8,940 lei |
| 1000+ | 8,790 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
17,63 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorNEXPERIA
Nr. de reper producătorPSMN4R8-100BSEJ
Cod de comandă2281226
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance0.0041ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation405W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Prezentare generală a produsului
The PSMN4R8-100BSE is a N-channel standard level MOSFET offers very low RDS (ON) for low conduction losses. The device complements the latest hot-swap controllers - robust enough to withstand substantial inrush currents during turn ON, whilst offering a low RDS (ON) characteristic to keep temperatures down and efficiency up in continued use. Ideal for telecommunication systems based on a 48V backplane/supply rail.
- Enhanced forward biased safe operating area for superior linear mode operation
- -55 to 175°C Junction temperature range
Aplicaţii
Power Management, Communications & Networking, Industrial
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
405W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0041ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentaţie tehnică (1)
Alternative pentru PSMN4R8-100BSEJ
8 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Philippines
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Philippines
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Y-Ex
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.031751
Trasabilitatea produsului