Imprimare pagină
MRFE6VP61K25HR5
RF FET Transistor, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230H-4S
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
155 În Stoc
200 Vă puteți rezerva stocul acum
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 1.218,840 lei |
| 5+ | 1.194,460 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 1
Mai multe: 1
1.218,84 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorNXP
Nr. de reper producătorMRFE6VP61K25HR5
Cod de comandă2776254
Fişă tehnică
Drain Source Voltage Vds133VDC
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation1.333kW
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max600MHz
Transistor Case StyleNI-1230H-4S
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max225°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Prezentare generală a produsului
MRFE6VP61K25HR5 is a wideband RF power LDMOS transistor in a 4 pin NI-1230H-4S package. This high ruggedness device is designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analogue and digital), aerospace and radio/land mobile applications. They are unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600 MHz.
- Unmatched Input and Output Allowing Wide Frequency Range Utilization
- Device can be used single ended or in a push pull configuration
- Qualified up to a maximum of 50VDD operation
- Characterized from 30V to 50V for extended power range
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage for improved class C operation
- Characterized with series equivalent large signal impedance parameters
Specificaţii tehnice
Drain Source Voltage Vds
133VDC
Power Dissipation
1.333kW
Operating Frequency Max
600MHz
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
Transistor Case Style
NI-1230H-4S
Operating Temperature Max
225°C
Transistor Mounting
Flange
MSL
-
Documentaţie tehnică (3)
Alternative pentru MRFE6VP61K25HR5
1 produs găsit
Produse asociate
4 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.017754
Trasabilitatea produsului