Imprimare pagină
2N6052G
Darlington Transistor, PNP, 2 Pins
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Nu se mai produce
Prezentare generală a produsului
The 2N6052G is a 12A PNP complementary silicon power Darlington Transistor designed for general-purpose amplifier and low frequency switching applications.
- Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
- High DC current gain (hFE = 3500 @ IC = 5A DC)
Aplicaţii
Industrial, Power Management
Specificaţii tehnice
Transistor Polarity
PNP
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
No. of Pins
2Pins
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
Documentaţie tehnică (2)
Produse asociate
8 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Mexico
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Mexico
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Y-Ex
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.01202
Trasabilitatea produsului