Imprimare pagină
2N6052G
Darlington Transistor, PNP, 2 Pins
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Nu se mai produce
Detalii tehnice
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producător2N6052G
Cod de comandă2535602
Fişă tehnică
Transistor PolarityPNP
No. of Pins2Pins
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
Prezentare generală a produsului
The 2N6052G is a 12A PNP complementary silicon power Darlington Transistor designed for general-purpose amplifier and low frequency switching applications.
- Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
- High DC current gain (hFE = 3500 @ IC = 5A DC)
Aplicaţii
Industrial, Power Management
Specificaţii tehnice
Transistor Polarity
PNP
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
No. of Pins
2Pins
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
Documentaţie tehnică (2)
Produse asociate
8 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Mexico
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Mexico
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Y-Ex
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.01202