Imprimare pagină
2SK3666-3-TB-E.
JFET Transistor, -30 V, 3 mA, -2.2 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Detalii tehnice
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producător2SK3666-3-TB-E.
Cod de comandă2724388RL
Fişă tehnică
Gate Source Breakdown Voltage Max-30V
Zero Gate Voltage Drain Current Max3mA
Gate Source Cutoff Voltage Max-2.2V
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2020)
Specificaţii tehnice
Gate Source Breakdown Voltage Max
-30V
Gate Source Cutoff Voltage Max
-2.2V
No. of Pins
3 Pin
Channel Type
N Channel
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Zero Gate Voltage Drain Current Max
3mA
Transistor Case Style
SOT-23
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2020)
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2020)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.00007
Trasabilitatea produsului