Imprimare pagină
BC857BDW1T1G
Bipolar Transistor Array, General Purpose, Dual PNP, 45 V, 100 mA
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorBC857BDW1T1G
Cod de comandă1653608
Gamă de produseBCxxx Series
Fişă tehnică
31.019 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,590 lei |
| 50+ | 0,370 lei |
| 100+ | 0,230 lei |
| 500+ | 0,220 lei |
| 1500+ | 0,200 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 5
Mai multe: 5
2,95 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorBC857BDW1T1G
Cod de comandă1653608
Gamă de produseBCxxx Series
Fişă tehnică
Transistor PolarityDual PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Collector Emitter Voltage Max PNP45V
Continuous Collector Current NPN-
Continuous Collector Current PNP100mA
Power Dissipation NPN-
Power Dissipation PNP380mW
DC Current Gain hFE Min NPN-
DC Current Gain hFE Min PNP150hFE
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP100MHz
Product RangeBCxxx Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Prezentare generală a produsului
The BC857BDW1T1G is a dual PNP Bipolar Transistor Array designed for general purpose amplifier applications. It is designed for low power surface-mount applications.
- Halogen-free
- -55 to 150°C Junction temperature range
Aplicaţii
Power Management, Industrial
Specificaţii tehnice
Transistor Polarity
Dual PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
45V
Continuous Collector Current PNP
100mA
Power Dissipation PNP
380mW
DC Current Gain hFE Min PNP
150hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
100MHz
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
Continuous Collector Current NPN
-
Power Dissipation NPN
-
DC Current Gain hFE Min NPN
-
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Product Range
BCxxx Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentaţie tehnică (2)
Alternative pentru BC857BDW1T1G
2 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.08