Imprimare pagină
BC857CDW1T1G
Bipolar Transistor Array, PNP, 45 V, 100 mA
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
5.435 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 500+ | 0,240 lei |
| 1500+ | 0,200 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 500
Mai multe: 5
140,00 lei (fără TVA)
Pentru acest produs va fi adăugată o taxă rebobinare de 20,00 lei
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorBC857CDW1T1G
Cod de comandă2464067RL
Fişă tehnică
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max45V
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Continuous Collector Current100mA
Collector Emitter Voltage Max PNP45V
Continuous Collector Current NPN-
Power Dissipation380mW
Continuous Collector Current PNP100mA
Power Dissipation NPN-
Power Dissipation PNP250mW
DC Current Gain hFE Min NPN-
DC Current Gain hFE Min270hFE
DC Current Gain hFE Min PNP420hFE
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP100MHz
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Prezentare generală a produsului
The BC857CDW1T1G is a dual PNP general purpose Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Aplicaţii
Industrial, Power Management, Automotive
Specificaţii tehnice
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
Collector Emitter Voltage Max PNP
45V
Power Dissipation
380mW
Power Dissipation NPN
-
DC Current Gain hFE Min NPN
-
DC Current Gain hFE Min PNP
420hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
100MHz
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max
45V
Continuous Collector Current
100mA
Continuous Collector Current NPN
-
Continuous Collector Current PNP
100mA
Power Dissipation PNP
250mW
DC Current Gain hFE Min
270hFE
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.001
Trasabilitatea produsului