Imprimare pagină
Disponibile pentru comandă
Timp standard de executare a comenzii de către producător: 11 săptămână (săptămâni)
Anunțați-mă când există în stoc
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 2500+ | 3,190 lei |
| 7500+ | 3,180 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Full Reel)
Minim: 2500
Mai multe: 2500
7.975,00 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorFCD4N60TM
Cod de comandă2985417
Gamă de produseSuperFET
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id3.9A
Drain Source On State Resistance1ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation50W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSuperFET
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Prezentare generală a produsului
The FCD4N60TM is a N-channel SuperFET® high voltage super-junction MOSFET utilizes charge balance technology for outstanding low ON-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dV/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
- Ultra low gate charge (Qg = 12.8nC)
- Low effective output capacitance (Coss.eff = 32pF)
- 100% avalanche tested
Aplicaţii
Industrial, Power Management, Communications & Networking, Lighting, Alternative Energy
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.9A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SuperFET
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Y-Ex
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.001814
Trasabilitatea produsului