Imprimare pagină
FDN352AP
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Surface Mount
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Disponibile pentru comandă
Timp standard de executare a comenzii de către producător: 18 săptămână (săptămâni)
Anunțați-mă când există în stoc
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 3000+ | 0,620 lei |
| 9000+ | 0,620 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Full Reel)
Minim: 3000
Mai multe: 3000
1.860,00 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorFDN352AP
Cod de comandă2438446
Fişă tehnică
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.3A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Prezentare generală a produsului
The FDN352AP is a P-channel Logic Level MOSFET produced using advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss is needed in a very small outline surface mount package.
- High performance trench technology for extremely low RDS (on)
Avertismente
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specificaţii tehnice
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.3A
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Philippines
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Philippines
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.001
Trasabilitatea produsului