Imprimare pagină
FDP51N25
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 51 A, 0.048 ohm, TO-220, Through Hole
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
3.717 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 14,330 lei |
| 10+ | 6,450 lei |
| 100+ | 6,300 lei |
| 500+ | 6,200 lei |
| 1000+ | 6,050 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
14,33 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorFDP51N25
Cod de comandă2453859
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id51A
Drain Source On State Resistance0.048ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation320W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Prezentare generală a produsului
The FDP51N25 is an UniFET™ N-channel high voltage MOSFET produced based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce ON-state resistance, provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
- 55nC typical low gate charge
- 63pF typical low Crss
Avertismente
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
51A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
320W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.048ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Y-Ex
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.0018
Trasabilitatea produsului