Imprimare pagină
FQP27P06
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, Through Hole
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
17.388 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 13,770 lei |
| 10+ | 11,580 lei |
| 100+ | 6,300 lei |
| 500+ | 5,080 lei |
| 1000+ | 4,380 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
13,77 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorFQP27P06
Cod de comandă9846530
Fişă tehnică
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id27A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation120W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Prezentare generală a produsului
The FQP27P06 is a through hole, -60V P channel QFET MOSFET in TO-220 package. This device feature planar stripe and DMOS technology which has been tailored to minimize the onstate resistance and provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supply, audio amplifier, DC motor control and variable switching power applications.
- Low reverse transfer capacitance of typically 120pF
- Low gate charge is typically 33nC
- Drain to source voltage (Vds) of -60V
- Gate to source voltage of ±25V
- Continuous drain current (Id) of -27A
- Power dissipation (Pd) of 120W
- Low on state resistance of 55mohm at Vgs -10V
- Operating temperature range -55°C to 175°C
Specificaţii tehnice
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
27A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
120W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentaţie tehnică (2)
Produse asociate
1 produs găsit
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Y-Ex
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.032659
Trasabilitatea produsului