Imprimare pagină
NDC7002N
Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 510 mA, 2 ohm
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
75.074 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 100+ | 1,290 lei |
| 500+ | 0,920 lei |
| 1000+ | 0,740 lei |
| 5000+ | 0,660 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 100
Mai multe: 5
149,00 lei (fără TVA)
Pentru acest produs va fi adăugată o taxă rebobinare de 20,00 lei
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorNDC7002N
Cod de comandă9844821RL
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel50V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel510mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel2ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel700mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Prezentare generală a produsului
The NDC7002N is a dual N-channel enhancement-mode FET produced using high cell density and DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize ON-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. This device is particularly suited for low voltage applications requiring a low current high side switch.
- High saturation current
- High density cell design for low RDS (ON)
- Design using copper lead-frame for superior thermal and electrical capabilities
Aplicaţii
Industrial, Power Management
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
50V
Continuous Drain Current Id N Channel
510mA
Drain Source On State Resistance N Channel
2ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentaţie tehnică (2)
Produse asociate
2 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Philippines
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Philippines
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.000016
Trasabilitatea produsului