Imprimare pagină
NTF2955T1G
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 2.6 A, 0.17 ohm, SOT-223, Surface Mount
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
38.040 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 50+ | 4,860 lei |
| 200+ | 3,660 lei |
| 500+ | 2,890 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 100
Mai multe: 5
506,00 lei (fără TVA)
Pentru acest produs va fi adăugată o taxă rebobinare de 20,00 lei
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorNTF2955T1G
Cod de comandă1453649RL
Fişă tehnică
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.6A
Drain Source On State Resistance0.17ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Prezentare generală a produsului
NTF2955T1G is a single, P-channel power MOSFET. The applications include power supplies, PWM motor control, converters, and power management.
- Drain-to-source on resistance is 145mohm typ (VGS = -10V, ID = -0.75A)
- Gate-to-source voltage is ±20V (TJ = 25°C)
- Continuous drain current is -2.6A (TJ = 25°C, steady state)
- Power dissipation is 2.3W (TJ = 25°C, steady state)
- Pulsed drain current is -17A (tp = 10µs, TJ = 25°C)
- Drain-to-source breakdown voltage is -60V min (VGS = 0V, ID = -250µA, TJ=25°C)
- Gate threshold voltage range from -2.0 to -4.0V (VGS = VDS, ID = -1.0mA, TJ=25°C)
- Forward transconductance is 1.77S typ (VGS = -15V, ID = -0.75A, TJ=25°C)
- Turn-on delay time is 11ns rtp (VGS = 10V, VDD = 25V, ID = 1.5A, RG = 9.1ohm, RL = 25ohm)
- SOT-223 package, operating junction range from -55 to 175°C
Specificaţii tehnice
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.6A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.17ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentaţie tehnică (3)
Alternative pentru NTF2955T1G
1 produs găsit
Produse asociate
2 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Y-Ex
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.000124
Trasabilitatea produsului