Imprimare pagină
NTHL080N120SC1A
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorNTHL080N120SC1A
Cod de comandă3528502
Gamă de produseEliteSiC Series
Fişă tehnică
592 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 45,570 lei |
| 5+ | 44,750 lei |
| 10+ | 43,890 lei |
| 50+ | 27,380 lei |
| 100+ | 27,280 lei |
| 250+ | 26,420 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
45,57 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorNTHL080N120SC1A
Cod de comandă3528502
Gamă de produseEliteSiC Series
Fişă tehnică
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation178W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Prezentare generală a produsului
NTHL080N120SC1A is an EliteSiC, 80mohm, 1200V, M1, silicon carbide (SiC) MOSFET. The applications include a UPS, DC-DC converter, and boost inverter.
- 100% UIL tested
- Drain-to-source on resistance is 80mohm typ (VGS = 20 V, ID = 20 A, TJ = 25°C)
- Total gate charge is 56nC typ (VGS = -5/20V, VDS = 600V, ID = 20A)
- Output capacitance is 80pF typ (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 800V)
- Continuous drain-to-source diode forward current is 18A max (VGS = -5V, TJ = 25°C)
- Power dissipation is 178W (TC = 25°C), pulsed drain current is 132A (TA = 25°C)
- Gate resistance is 1.7ohm typ (f = 1MHz)
- Turn-on delay time is 13ns typ (VGS = -5/20V, VDS = 800V, ID = 20A, RG = 4.7, inductive load)
- Total switching loss is 311µJ typ (VGS = -5/20V, VDS = 800V, ID = 20A, RG = 4.7, inductive load)
- TO-247-3LD package, operating junction temperature range from -55 to +175°C
Avertismente
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specificaţii tehnice
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
31A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
178W
Product Range
EliteSiC Series
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documentaţie tehnică (2)
Produse asociate
2 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Philippines
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Philippines
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Y-Ex
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.005
Trasabilitatea produsului