Imprimare pagină
NTMFS011N15MC
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 78 A, 0.009 ohm, PQFN, Surface Mount
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
5.797 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 10+ | 33,780 lei |
| 50+ | 31,090 lei |
| 100+ | 30,480 lei |
| 250+ | 29,870 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 10
Mai multe: 1
357,80 lei (fără TVA)
Pentru acest produs va fi adăugată o taxă rebobinare de 20,00 lei
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorNTMFS011N15MC
Cod de comandă3528504RL
Fişă tehnică
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id78A
On Resistance Rds(on)0.009ohm
Drain Source On State Resistance0.009ohm
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.35V
Power Dissipation Pd147W
Power Dissipation147W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Prezentare generală a produsului
NTMFS011N15MC is a single N-channel, power MOSFET. Typical applications are synchronous rectification, AC-DC and DC-DC power supplies, AC-DC adapters (USB PD) SR, load switch.
- Small footprint (5 x 6mm) for compact design
- Low RDS(on) to minimize conduction losses
- Low QG and capacitance to minimize driver losses
- Drain-to-source breakdown voltage is 150V
- Gate-to-source voltage is ±20V
- Continuous drain current is 10.7A at TA = 25°C
- Power dissipation is 2.7W at TA = 25°C
- Operating junction and storage temperature range from -55 to +150°C
- PQFN8 package
Specificaţii tehnice
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
On Resistance Rds(on)
0.009ohm
Transistor Case Style
PQFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
147W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
78A
Drain Source On State Resistance
0.009ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.35V
Power Dissipation
147W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Philippines
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Philippines
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Y-Ex
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.0034
Trasabilitatea produsului