Imprimare pagină
BUV26G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 90 V, 20 A, 85 W, TO-220, Through Hole
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Nu se mai produce
Detalii tehnice
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorBUV26G
Cod de comandă2317573
Fişă tehnică
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max90V
Continuous Collector Current20A
Power Dissipation85W
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min-
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Prezentare generală a produsului
The BUV26G is a 90V Silicon NPN Bipolar Power Transistor designed for high speed applications. The transistor is ideal for switch-mode power supplies and high frequency converters as well as relay drivers.
- Collector-base voltage (Vcbo = 180V)
- Emitter-base voltage (Vcbo = 7V)
Aplicaţii
Power Management, Industrial
Specificaţii tehnice
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
20A
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
-
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max
90V
Power Dissipation
85W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:În aşteptare
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.0022