Imprimare pagină
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Detalii tehnice
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorMMBF4416
Cod de comandă2453368
Fişă tehnică
Gate Source Breakdown Voltage Max-30V
Zero Gate Voltage Drain Current Max15mA
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min5mA
Gate Source Cutoff Voltage Max-6V
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor TypeRF FET
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
No. of Pins3 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Alternative pentru MMBF4416
1 produs găsit
Prezentare generală a produsului
The MMBF4416 is a N-channel JFET designed for RF amplifiers.
- 30V Drain-gate voltage
- -30V Gate-source voltage
- 10mA Forward gate current
Aplicaţii
Industrial, RF Communications, Power Management
Specificaţii tehnice
Gate Source Breakdown Voltage Max
-30V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
5mA
Transistor Case Style
SOT-23
Operating Temperature Max
150°C
No. of Pins
3 Pin
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Zero Gate Voltage Drain Current Max
15mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
-6V
Transistor Type
RF FET
Channel Type
N Channel
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Japan
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Japan
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:În aşteptare
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.000082
Trasabilitatea produsului