Imprimare pagină
NDS9407
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Surface Mount
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
1.048 În Stoc
2.500 Vă puteți rezerva stocul acum
Livrare EXPRESS în 1-2 zile lucrătoare
Comandați înainte de ora 17:00
Livrarea Standard GRATUITĂ
la comenzi în valoare de 0,00 lei și peste
Timpul exact de livrare va fi calculat la checkout
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 5+ | 5,690 lei |
| 50+ | 3,560 lei |
| 100+ | 2,340 lei |
| 500+ | 1,810 lei |
| 1000+ | 1,640 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 5
Mai multe: 5
28,45 lei (fără TVA)
notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorNDS9407
Cod de comandă1611465
Fişă tehnică
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance0.15ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Prezentare generală a produsului
The NDS9407 is a P-channel MOSFET produced using rugged gate version of advanced PowerTrench® process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gate drive voltage ratings (4.5 to 20V). It is suitable for load switch and battery protection applications.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
Avertismente
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specificaţii tehnice
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.15ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentaţie tehnică (3)
Alternative pentru NDS9407
1 produs găsit
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.00021