Imprimare pagină
NTBG040N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 51 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, D2PAK-7L
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorNTBG040N120M3S
Cod de comandă4143095
Gamă de produseEliteSiC Series
Fişă tehnică
Disponibile pentru comandă
Timp standard de executare a comenzii de către producător: 17 săptămână (săptămâni)
Anunțați-mă când există în stoc
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 90,370 lei |
| 5+ | 79,040 lei |
| 10+ | 65,480 lei |
| 50+ | 58,720 lei |
| 100+ | 54,200 lei |
| 250+ | 50,600 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
90,37 lei (fără TVA)
notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorNTBG040N120M3S
Cod de comandă4143095
Gamă de produseEliteSiC Series
Fişă tehnică
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id51A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.052ohm
Transistor Case StyleD2PAK-7L
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation329W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Specificaţii tehnice
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
51A
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
D2PAK-7L
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
329W
Product Range
EliteSiC Series
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.001743
Trasabilitatea produsului