Imprimare pagină
NTH4L022N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorNTH4L022N120M3S
Cod de comandă3872098
Gamă de produseEliteSiC Series
Fişă tehnică
86 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 84,330 lei |
| 5+ | 76,760 lei |
| 10+ | 69,140 lei |
| 50+ | 66,800 lei |
| 100+ | 63,500 lei |
| 250+ | 63,350 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
84,33 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorNTH4L022N120M3S
Cod de comandă3872098
Gamă de produseEliteSiC Series
Fişă tehnică
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id68A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.72V
Power Dissipation352W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Specificaţii tehnice
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
68A
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.72V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
352W
Product Range
EliteSiC Series
Documentaţie tehnică (2)
Produse asociate
2 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.0004
Trasabilitatea produsului