Imprimare pagină
NVHL040N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorNVHL040N120SC1
Cod de comandă3464026
Gamă de produseEliteSiC Series
Fişă tehnică
495 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 74,270 lei |
| 5+ | 74,220 lei |
| 10+ | 74,170 lei |
| 50+ | 73,860 lei |
| 100+ | 72,390 lei |
| 250+ | 71,020 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
74,27 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorNVHL040N120SC1
Cod de comandă3464026
Gamă de produseEliteSiC Series
Fişă tehnică
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.056ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation348W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Prezentare generală a produsului
- Silicon carbide (SiC) MOSFET
- 100% UIL tested, AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Drain-to-source on resistance is 39mohm (typ, VGS = 20V, ID = 35A, TJ = 25°C
- Reverse transfer capacitance is 12pF (typ, VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 800V)
- Continuous drain current RJC is 60A (maximum, TC = 25°C, steady state)
- Gate to source leakage current is ±1µA (max, VGS = +25/-15V, VDS =0V)
- Power dissipation is 348W (VGS = +25/-15V, VDS =0V)
- Rise time is 41ns (typ, VGS = -5/20V, VDS = 800V, ID = 47A, RG = 4.7ohm, inductive load)
- Reverse recovery time is 24ns (typ, VGS = -5/20V, ISD = 47A, dIS/dt = 1000A/ s)
- Operating and storage junction temperature range from -55 to +175°C, TO247-3L package
Specificaţii tehnice
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.056ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
348W
Product Range
EliteSiC Series
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Y-Ex
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.002
Trasabilitatea produsului