Imprimare pagină
NXH35C120L2C2ESG
IGBT Module, Three Phase CIB [Converter + Inverter + Brake], 35 A, 1.8 V, 150 °C, DIP
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
3 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 272,440 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
272,44 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorNXH35C120L2C2ESG
Cod de comandă3464032
Fişă tehnică
Transistor PolaritySix N Channel
IGBT ConfigurationThree Phase CIB [Converter + Inverter + Brake]
Continuous Collector Current35A
DC Collector Current35A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleDIP
IGBT TerminationSolder
No. of Pins26Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
Prezentare generală a produsului
Avertismente
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specificaţii tehnice
Transistor Polarity
Six N Channel
Continuous Collector Current
35A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Solder
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
IGBT Configuration
Three Phase CIB [Converter + Inverter + Brake]
DC Collector Current
35A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation
-
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
DIP
No. of Pins
26Pins
IGBT Technology
-
Product Range
-
Documentaţie tehnică (3)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Y-Ex
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.002
Trasabilitatea produsului