Imprimare pagină
NXH80B120MNQ0SNG
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, DualPack, Dual N Channel, 23 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Module
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorNXH80B120MNQ0SNG
Cod de comandă3929815
Gamă de produseEliteSiC Series
Fişă tehnică
24 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 327,150 lei |
| 5+ | 289,410 lei |
| 10+ | 251,660 lei |
| 50+ | 251,610 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
327,15 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorNXH80B120MNQ0SNG
Cod de comandă3929815
Gamă de produseEliteSiC Series
Fişă tehnică
MOSFET Module ConfigurationDualPack
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id23A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation69W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specificaţii tehnice
MOSFET Module Configuration
DualPack
Continuous Drain Current Id
23A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
69W
Product Range
EliteSiC Series
Documentaţie tehnică (2)
Produse asociate
2 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.09
Trasabilitatea produsului