Imprimare pagină
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Nu se mai produce
Detalii tehnice
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorTIP140G
Cod de comandă2535661
Fişă tehnică
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo60V
Power Dissipation Pd125W
DC Collector Current10A
RF Transistor CaseTO-218
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE500hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Alternative pentru TIP140G
1 produs găsit
Prezentare generală a produsului
The TIP140G is a 10A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications.
- Complementary device
- Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
Aplicaţii
Industrial, Power Management
Specificaţii tehnice
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
125W
RF Transistor Case
TO-218
DC Current Gain hFE
500hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
60V
DC Collector Current
10A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
Documentaţie tehnică (3)
Produse asociate
6 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.003856
Trasabilitatea produsului