Imprimare pagină
BD2320UEFJ-LAE2
Gate Driver, 2 Channels, High Side and Low Side, MOSFET, 8 Pins, HTSOP-J
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
73 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 8,890 lei |
| 10+ | 6,550 lei |
| 50+ | 5,990 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 1
Mai multe: 1
8,89 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorROHM
Nr. de reper producătorBD2320UEFJ-LAE2
Cod de comandă4172964
Fişă tehnică
No. of Channels2Channels
Gate Driver Type-
Driver ConfigurationHigh Side and Low Side
Power Switch TypeMOSFET
No. of Pins8Pins
IC Case / PackageHTSOP-J
IC MountingSurface Mount
Input TypeNon-Inverting
Source Current3.5A
Sink Current4.5A
Supply Voltage Min7.5V
Supply Voltage Max14.5V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max125°C
Input Delay27ns
Output Delay29ns
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Prezentare generală a produsului
BD2320UEFJ-LAE2 is a 100V maximum voltage high-side and low-side gate driver which can drive external Nch-FET using the bootstrap method. The driver includes a 100V bootstrap diode and independent inputs control for the high-side and low-side. Under voltage lockout circuits are built in for high-side and low-side. Typical applications are power supplies for telecom and datacom, MOSFET application, half-bridge and full-bridge converters, forward converters.
- Long-time support product for industrial applications
- Under voltage lockout (UVLO) for high-side and low-side driver
- 3.3V and 5.0V interface voltage
- Output In-phase with input signal
- High-side supply voltage and floating voltage is 100V
- Output voltage range from 7.5V to 14.5V, output current Io+/Io- is 3.5A/4.5A
- Propagation delay is 27ns (typ), delay matching is 12ns (max)
- Offset voltage pin leak current is 10µA (maximum)
- Operating temperature range from -40°C to +125°C
- Dimension is 4.9mm W (typ) x 6mm D (typ) x 1mm H (max)
Specificaţii tehnice
No. of Channels
2Channels
Driver Configuration
High Side and Low Side
No. of Pins
8Pins
IC Mounting
Surface Mount
Source Current
3.5A
Supply Voltage Min
7.5V
Operating Temperature Min
-40°C
Input Delay
27ns
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Gate Driver Type
-
Power Switch Type
MOSFET
IC Case / Package
HTSOP-J
Input Type
Non-Inverting
Sink Current
4.5A
Supply Voltage Max
14.5V
Operating Temperature Max
125°C
Output Delay
29ns
Qualification
-
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Thailand
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Thailand
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:To Be Advised
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.000001