Imprimare pagină
BSM300D12P3E005
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 300 A, 1.2 kV, Module
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
8 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 5.450,840 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
5.450,84 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorROHM
Nr. de reper producătorBSM300D12P3E005
Cod de comandă3573226
Fişă tehnică
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id300A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation1.26kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Prezentare generală a produsului
BSM300D12P3E005 is a SiC power module. This product is a half bridge module consisting of SiC-DMOSFET and SiC-SBD from ROHM. Application includes motor drive, inverter, converter, photovoltaics, wind power generation, induction heating equipment.
- Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
- Reduced temperature dependence
- 1.7V on-state static (typ, Tj=25°C, ID=300A, VGS=18V)
- 2.5V drain-source voltage (typ, Tj=125°C, ID=300A, VGS=18V)
- 2mA drain cut-off current (max, VDS=1200V, VGS=0V, Tj=25°C)
- 2.0V source-drain voltage (typ, VGS=0V,IS=300A, Tj=25°C)
- 14nF input capacitance (typ, VDS=10V, VGS=0V, 200KHz, Tj=25°C)
- 2500Vrms isolation voltage (terminals to baseplate f = 60Hz AC 1 min, Tj = 25°C)
- Junction temperature range from -40 to 150°C
Specificaţii tehnice
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
300A
Drain Source On State Resistance
-
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
1.26kW
Product Range
-
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Japan
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Japan
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.28
Trasabilitatea produsului