Imprimare pagină
UMX1NTN
Bipolar Transistor Array, Dual, Dual NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
2.540 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 5+ | 2,080 lei |
| 10+ | 1,270 lei |
| 100+ | 0,810 lei |
| 500+ | 0,550 lei |
| 1000+ | 0,440 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 5
Mai multe: 5
10,40 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorROHM
Nr. de reper producătorUMX1NTN
Cod de comandă1680410
Fişă tehnică
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN150mA
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN150mW
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN120hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN180MHz
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Prezentare generală a produsului
The UMX1NTN is a dual NPN general purpose amplification Bipolar Transistor with epitaxial planar type NPN silicon structure. The device integrating two transistors is available in ultra-compact package, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high-frequency oscillators and driver ICs.
- Ultra-compact complex digital transistor
- Potential divider type
- Small surface-mount package
- Transistor elements are independent, eliminating interference
Aplicaţii
Motor Drive & Control, Communications & Networking, Portable Devices, Industrial, Power Management
Avertismente
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specificaţii tehnice
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Continuous Collector Current NPN
150mA
Power Dissipation NPN
150mW
DC Current Gain hFE Min NPN
120hFE
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
180MHz
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Japan
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Japan
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.000136
Trasabilitatea produsului