Imprimare pagină
SKM100GAL12T4
IGBT Module, Single, 160 A, 1.8 V, 175 °C, Module
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Disponibile pentru comandă
Timp standard de executare a comenzii de către producător: 26 săptămână (săptămâni)
Anunțați-mă când există în stoc
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 424,180 lei |
| 5+ | 393,550 lei |
| 10+ | 357,630 lei |
| 50+ | 344,630 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
424,18 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorSEMIKRON
Nr. de reper producătorSKM100GAL12T4
Cod de comandă2423679
Fişă tehnică
IGBT ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current160A
Continuous Collector Current160A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 Fast [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Prezentare generală a produsului
The SKM100GAL12T4 is a SEMITRANS® 2 IGBT Module for use with electronic welders at fsw up to 20kHz and brake chopper. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Single switch
- IGBT4 = 4th generation fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- UL recognized, file number E63532
Aplicaţii
Maintenance & Repair, Power Management, Motor Drive & Control
Specificaţii tehnice
IGBT Configuration
Single
DC Collector Current
160A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature Tj Max
175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
160A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
IGBT 4 Fast [Trench]
Product Range
-
Documentaţie tehnică (2)
Produse asociate
4 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Slovak Republic
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Slovak Republic
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.18
Trasabilitatea produsului