Imprimare pagină
SKM150GB12T4
IGBT Module, Half Bridge, 232 A, 1.8 V, 175 °C, Module
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
19 În Stoc
16 Vă puteți rezerva stocul acum
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 687,480 lei |
| 5+ | 637,840 lei |
| 10+ | 579,630 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
687,48 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorSEMIKRON
Nr. de reper producătorSKM150GB12T4
Cod de comandă2423687
Fişă tehnică
Transistor PolarityDual N Channel
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current232A
DC Collector Current232A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 Fast [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Prezentare generală a produsului
The SKM150GB12T4 is a SEMITRANS® 2 IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders at fsw up to 20kHz. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- IGBT4 = 4th generation fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- UL recognized, file number E63532
Aplicaţii
Power Management, Maintenance & Repair
Specificaţii tehnice
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
232A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature Tj Max
175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
232A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
IGBT 4 Fast [Trench]
Product Range
-
Documentaţie tehnică (2)
Alternative pentru SKM150GB12T4
4 produse găsite
Produse asociate
4 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Slovak Republic
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Slovak Republic
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.18
Trasabilitatea produsului