Imprimare pagină
SKM200GB12E4
IGBT Module, Half Bridge, 313 A, 1.8 V, 175 °C, Module
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
16 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 1.088,800 lei |
| 5+ | 1.010,260 lei |
| 10+ | 918,010 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
1.088,80 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorSEMIKRON
Nr. de reper producătorSKM200GB12E4
Cod de comandă2423693
Fişă tehnică
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
DC Collector Current313A
Continuous Collector Current313A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Junction Temperature Tj Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Prezentare generală a produsului
The SKM200GB12E4 is a SEMITRANS® 3 IGBT Module for use with AC inverter drives and UPS. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- IGBT4 = 4th generation medium fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- For higher switching frequencies up to 12kHz
- UL recognized, file number E63532
Aplicaţii
Power Management
Specificaţii tehnice
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
313A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
313A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation
-
Junction Temperature Tj Max
175°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench]
Product Range
-
Documentaţie tehnică (1)
Alternative pentru SKM200GB12E4
6 produse găsite
Produse asociate
3 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Slovak Republic
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Slovak Republic
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.18
Trasabilitatea produsului