Imprimare pagină
GD100HFU120C8S
IGBT Module, Half Bridge, 154 A, 2.9 V, 791 W, 125 °C, Module
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Nu se mai produce
Detalii tehnice
ProducătorSTARPOWER
Nr. de reper producătorGD100HFU120C8S
Cod de comandă3912069
Fişă tehnică
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current154A
DC Collector Current154A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.9V
Collector Emitter Saturation Voltage2.9V
Power Dissipation791W
Power Dissipation Pd791W
Junction Temperature Tj Max125°C
Operating Temperature Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT IGBT [Standard]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Specificaţii tehnice
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
154A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.9V
Power Dissipation Pd
791W
Operating Temperature Max
125°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
154A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.9V
Power Dissipation
791W
Junction Temperature Tj Max
125°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Technology
NPT IGBT [Standard]
Product Range
-
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:To Be Advised
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.2