Imprimare pagină
GD600HFY120C2S
IGBT Module, Half Bridge, 1 kA, 2 V, 3.409 kW, 150 °C, Module
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Disponibile pentru comandă
Timp standard de executare a comenzii de către producător: 24 săptămână (săptămâni)
Anunțați-mă când există în stoc
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 947,170 lei |
| 5+ | 878,840 lei |
| 10+ | 798,580 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
947,17 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorSTARPOWER
Nr. de reper producătorGD600HFY120C2S
Cod de comandă2986066
Fişă tehnică
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current1kA
DC Collector Current1kA
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Power Dissipation3.409kW
Power Dissipation Pd3.409kW
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Prezentare generală a produsului
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
Avertismente
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specificaţii tehnice
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
1kA
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Power Dissipation Pd
3.409kW
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
1kA
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2V
Power Dissipation
3.409kW
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:To Be Advised
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.002268