Imprimare pagină
MJE521
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 4 A, 40 W, SOT-32, Through Hole
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Nu se mai produce
Detalii tehnice
ProducătorSTMICROELECTRONICS
Nr. de reper producătorMJE521
Cod de comandă1467924
Fişă tehnică
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max40V
Continuous Collector Current4A
Power Dissipation40W
Transistor Case StyleSOT-32
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Specificaţii tehnice
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
4A
Transistor Case Style
SOT-32
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max
40V
Power Dissipation
40W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Morocco
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Morocco
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:În aşteptare
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.06