Imprimare pagină
PD85004
RF FET Transistor, 40 V, 2 A, 6 W, 1 GHz, SOT-89
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Nu se mai produce
Detalii tehnice
ProducătorSTMICROELECTRONICS
Nr. de reper producătorPD85004
Cod de comandă2629762
Fişă tehnică
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id2A
Power Dissipation6W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max1GHz
Transistor Case StyleSOT-89
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Specificaţii tehnice
Drain Source Voltage Vds
40V
Power Dissipation
6W
Operating Frequency Max
1GHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
2A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
SOT-89
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Documentaţie tehnică (3)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.000106
Trasabilitatea produsului