Imprimare pagină
SCTH100N65G2-7AG
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 95 A, 650 V, 0.02 ohm, H2PAK
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorSTMICROELECTRONICS
Nr. de reper producătorSCTH100N65G2-7AG
Cod de comandă3387270RL
Fişă tehnică
Disponibile pentru comandă
Timp standard de executare a comenzii de către producător: 19 săptămână (săptămâni)
Anunțați-mă când există în stoc
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 10+ | 103,170 lei |
| 50+ | 102,820 lei |
| 100+ | 102,460 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 10
Mai multe: 1
1.051,70 lei (fără TVA)
Pentru acest produs va fi adăugată o taxă rebobinare de 20,00 lei
notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorSTMICROELECTRONICS
Nr. de reper producătorSCTH100N65G2-7AG
Cod de comandă3387270RL
Fişă tehnică
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id95A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleH2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.1V
Power Dissipation360W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specificaţii tehnice
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
95A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.1V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
H2PAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
360W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentaţie tehnică (3)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.00145
Trasabilitatea produsului